ZXMHC3A01N8TC參數(shù):MOSFET H-BRIDGE COMPL 8-SOIC
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500系列:-包裝:帶卷 (TR)FET 類型:2 個(gè) N?通道和 2 個(gè) P 通道(H 橋)FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):2.17A,1.64A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 2.5A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):3.9nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):190pF @ 25V功率 - 最大值:870mW安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SOP