XN0NE9200L參數(shù):MOSFET P-CH 12V 1.2A MINI-5P
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖: XN0NE9200LPINLayout XN0NE9200L標準包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:二極管(隔離式)漏源極電壓(Vdss):12V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):1.2A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):450毫歐@800mA,4V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1.3V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):-不同Vds時的輸入電容(Ciss):-功率-最大值:600mW安裝類型:表面貼裝封裝:SC-74A,SOT-753供應商器件封裝:迷你型5-G1