VS-GB90DA60U參數:TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR
類別:半導體模塊-IGBT標準包裝:160系列:HEXFRED®IGBT 類型:NPT配置:單一電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 時的?Vce(on):2.8V @ 15V,100A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):147A電流 - 集電極截止(最大值):100µA不同?Vce 時的輸入電容 (Cies):-功率 - 最大值:625W輸入:標準NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝:SOT-227-4供應商器件封裝:SOT-227