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VMO580-02F參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
類別：半導(dǎo)體模塊-FET標(biāo)準(zhǔn)包裝：3系列：HiPerFET™包裝：散裝FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：200V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：580A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：3.8 毫歐 @ 430A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 50mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：2750nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：-安裝類型：底座安裝封裝：Y3-Li供應(yīng)商器件封裝：Y3-Li
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