US6M1TR參數(shù)：MOSFET N+P 30,20V 1A TUMT6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： MOSFETs產(chǎn)品目錄繪圖： TUMT-6PackageTop特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：N和P溝道FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V，20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：1.4A，1A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：240毫歐@1.4A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：2nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：70pF@10V功率-最大值：1W安裝類型：表面貼裝封裝：6-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：TUMT6
