TPH8R80ANH,L1Q參數(shù)：MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：32A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：8.8 毫歐 @ 16A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：33nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2800pF @ 50V功率 - 最大值：61W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerVDFN供應(yīng)商器件封裝：8-SOP 高級
