TPH12008NH,L1Q參數(shù)：MOSFET N CH 80V 24A SOP
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：80V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：24A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：12.3 毫歐 @ 12A， 10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 300µA，10V不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：22nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1900pF @ 40V功率 - 最大值：48W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerVDFN供應(yīng)商器件封裝：8-SOP 高級(jí)
