TPCF8B01(TE85L,F,M參數(shù):MOSFET P-CH SBD 20V 2.7A VS-8
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000系列:-包裝:帶卷 (TR)FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物FET 功能:二極管(隔離式)漏源極電壓 (Vdss):20V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):2.7A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):110 毫歐 @ 1.4A,4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 200µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):6nC @ 5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):470pF @ 10V功率 - 最大值:-安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝:8-SMD,扁平引線(xiàn)供應(yīng)商器件封裝:VS-8(2.9x1.9)