TPCF8102(TE85L)參數(shù):MOSFET P-CH 20V 6A VS-8
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖: TPC8xxxSeriesSide TPC8xxxSeriesTop標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):30毫歐@3A,4.5V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1.2V@200µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):19nC@5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):1550pF@10V功率-最大值:-安裝類型:表面貼裝封裝:8-SMD,扁平引線供應(yīng)商器件封裝:VS-8(2.9x1.9)