TPCC8103(TE12L,QM)參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖： 8TSONTop 8TSONSide標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：18A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：12毫歐@9A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：38nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1600pF@10V功率-最大值：27W安裝類型：表面貼裝封裝：8-VDFN裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：8-TSON