TPCC8006-H(TE12LQM參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖： 8TSONTop 8TSONSide標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：22A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8毫歐@11A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.3V@200µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：27nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2200pF@10V功率-最大值：27W安裝類型：表面貼裝封裝：8-VDFN裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：8-TSON
