TPC8212-H(TE12LQ,M參數(shù):MOSFET N-CH DUAL 30V 6A SOP8
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷 (TR)FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙)FET 功能:邏輯電平門(mén)漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)):6A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 3A,10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):16nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):840pF @ 10V功率 - 最大值:750mW安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)供應(yīng)商器件封裝:8-SOP(5.5x6.0)