TPC8009-H(TE12L)參數(shù):MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOP
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝:3,000系列:-包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):13A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 6.5A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):29nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1460pF @ 10V功率 - 最大值:-安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)供應商器件封裝:8-SOP(5.5x6.0)