TK7P60W,RVQ參數(shù)：MOSFET N CH 600V 7A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品： DTMOSIVSuperjunctionMOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：7A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：600毫歐@3.5A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3.7V@350µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：15nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：490pF@300V功率-最大值：60W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：DPAK
