TK10P60W,RVQ參數(shù)：MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品： DTMOSIVSuperjunctionMOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：9.7A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：430毫歐@4.9A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.7V@500µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：20nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：700pF@300V功率-最大值：80W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：DPAK
