TK100L60W,VQ參數(shù)：MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝：100系列：-包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：600V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：100A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 50A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 5mA， 10V不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：360nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：15000pF @ 30V功率 - 最大值：797W安裝類型：通孔封裝：TO-3PL供應商器件封裝：TO-3P（L）
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