STV200N55F3參數:MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
類別:分立半導體產品-FET - 單特色產品: MosfetsinPowerSO-10Package標準包裝:600系列:STripFET™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):55V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):200A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):2.5毫歐@75A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):100nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):6800pF@25V功率-最大值:300W安裝類型:表面貼裝封裝:PowerSO-10裸露底部焊盤供應商器件封裝:PowerSO-10