STV200N55F3參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品： MosfetsinPowerSO-10Package標(biāo)準(zhǔn)包裝：600系列：STripFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：55V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：200A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.5毫歐@75A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：100nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：6800pF@25V功率-最大值：300W安裝類型：表面貼裝封裝：PowerSO-10裸露底部焊盤供應(yīng)商器件封裝：PowerSO-10
