STV200N55F3
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STV200N55F3參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
特色產(chǎn)品： MosfetsinPowerSO-10Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝：600
系列：STripFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：55V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：200A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.5毫歐@75A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：100nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：6800pF@25V
功率-最大值：300W
安裝類型：表面貼裝
封裝：PowerSO-10裸露底部焊盤
供應(yīng)商器件封裝：PowerSO-10