STU6N65K3參數：MOSF N CH 650V 5.4A IPAK
類別：分立半導體產品-FET - 單其它有關文件： STU6N65K3ViewAllSpecifications標準包裝：75系列：SuperMESH3™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：650V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5.4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.3歐姆@2.7A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：33nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：880pF@50V功率-最大值：110W安裝類型：通孔封裝：TO-251-3短引線，IPak，TO-251AA供應商器件封裝：I-Pak
