STU2NK100Z參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STU2NK100ZViewAllSpecifications標準包裝：75系列：SuperMESH™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：1000V（1kV）電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.85A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8.5歐姆@900mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：16nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：499pF@25V功率-最大值：70W安裝類型：通孔封裝：TO-251-3長引線，IPak，TO-251AB供應(yīng)商器件封裝：I-Pak
