STT6N3LLH6參數：MOSF N CH 30V 6A SOT23-6
類別：分立半導體產品-FET - 單其它有關文件： STT6N3LLH6ViewAllSpecifications標準包裝：3,000系列：STripFET™VI,DeepGATE™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：25毫歐@3A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：3.6nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：283pF@24V功率-最大值：1.6W安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-23-6供應商器件封裝：SOT-23-6
