STS4DPFS30L
PDF資料下載

STS4DPFS30L參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：2,500
系列：STripFET™
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：二極管（隔離式）
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：5A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：55 毫歐 @ 2.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：16nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1350pF @ 25V
功率 - 最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SO