STS1NK60Z參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 250MA 8-SOIC
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單其它有關文件： STS1NK60ZViewAllSpecifications標準包裝：2,500系列：SuperMESH™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：250mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：15歐姆@400mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：6.9nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：94pF@25V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應商器件封裝：8-SO
