STS1DN45K3參數(shù)：MOSFET N-CH 450V 0.5A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列其它有關(guān)文件： STS1DN45K3ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：SuperMESH3™包裝：帶卷(TR)FET類型：2個(gè)N溝道（雙）FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：450V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：500mA不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：3.8歐姆@500mA，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：6nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：150pF@25V功率-最大值：1.3W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SO
