STQ2HNK60ZR-AP參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STQ2HNK60ZR-APViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000系列：SuperMESH™包裝：帶盒（TB）FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：500mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：4.8歐姆@1A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：280pF@25V功率-最大值：3W安裝類型：通孔封裝：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線供應(yīng)商器件封裝：TO-92
