STP8NK100Z參數(shù):MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO-220
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件: STP8NK100ZViewAllSpecifications標(biāo)準包裝:50系列:SuperMESH™包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV)電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):6.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):1.85歐姆@3.15A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4.5V@100µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):102nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):2180pF@25V功率-最大值:160W安裝類型:通孔封裝:TO-220-3供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB