STP30NM30N參數(shù):MOSFET N-CH 300V 30A TO-220
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件: STP30NM30NViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝:50系列:MDmesh™包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):300V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):30A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):90毫歐@15A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):75nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):2500pF@50V功率-最大值:160W安裝類型:通孔封裝:TO-220-3供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB