STP10P6F6參數(shù)：MOSFET P CH 60V 10A TO-220
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STP10P6F6ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：STripFET™VI,DeepGATE™包裝：管件FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：10A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：180毫歐@5A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：7nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：360pF@48V功率-最大值：35W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：TO-220
