STN3P6F6參數(shù)：MOSF P CH 60V 3A SOT-223
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STN3P6F6ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000系列：STripFET™VI,DeepGATE™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：160毫歐@1.5A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：6.4nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：344pF@48V功率-最大值：2.6W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-261-4，TO-261AA供應(yīng)商器件封裝：SOT-223
