STN2NE10L參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000系列：STripFET™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.8A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：400 毫歐 @ 1A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：14nC @ 5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：345pF @ 25V功率 - 最大值：2.5W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-261-4，TO-261AA供應(yīng)商器件封裝：SOT-223
