STN1HNK60參數(shù):MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件: STN1HNK60ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000系列:SuperMESH™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):600V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):400mA不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):8.5歐姆@500mA,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):3.7V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):156pF@25V功率-最大值:3.3W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-261-4,TO-261AA供應(yīng)商器件封裝:SOT-223