STL8N65M5參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STL8N65M5ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：Mdmesh™V包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：650V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：7A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：600毫歐@3.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：15nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：690pF@100V功率-最大值：70W安裝類型：表面貼裝封裝：14-PowerVQFN供應(yīng)商器件封裝：PowerFLAT?（5x5）
