STL8DN10LF3參數(shù)：MOSFET N CH 100V 20A 5X6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列其它有關(guān)文件： STL8DN10LF3ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：STripFET™III包裝：帶卷(TR)FET類型：2個N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：20A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：35毫歐@4A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：20.5nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：970pF@25V功率-最大值：70W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerVDFN供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat?（5x6）
