STL80N3LLH6參數(shù):MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件: STL80N3LLH6ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:STripFET™DeepGATE™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):80A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):5.2毫歐@10.5A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):17nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1690pF@25V功率-最大值:60W安裝類型:表面貼裝封裝:8-PowerVDFN供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6)