STL80N75F6參數(shù):MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件: STL80N75F6ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:STripFET™VI,DeepGATE™包裝:帶卷(TR)FET類(lèi)型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):75V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):80A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):6.3毫歐@9A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):100nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):7120pF@25V功率-最大值:80W安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝:8-PowerVDFN供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6)