STL7NM60N參數：MOSFET N-CH 600V 5.8A POWERFLAT
類別：分立半導體產品-FET - 單其它有關文件： STL7NM60NViewAllSpecifications標準包裝：3,000系列：MDmesh™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5.8A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：900毫歐@2.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：14nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：363pF@50V功率-最大值：68W安裝類型：表面貼裝封裝：14-PowerFLAT?供應商器件封裝：14-PowerFLAT?（5x5）
