STL65DN3LLH5參數(shù)：MOSFET N-CH POWERFLAT
類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 陣列其它有關文件： STL65DN3LLH5ViewAllSpecifications特色產(chǎn)品： STripFET?SeriesVPowerMOSFETs標準包裝：3,000系列：STripFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：2個N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：65A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：6.5毫歐@9.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：12nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1500pF@25V功率-最大值：60W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerVDFN供應商器件封裝：PowerFlat?（5x6）
