STL57N65M5參數(shù):MOSF N CH 650V 4A PWRFLT 8X8HV
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件: STL57N65M5ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:Mdmesh™V包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):650V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):4A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):69毫歐@20A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):110nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):4200pF@100V功率-最大值:3W安裝類型:表面貼裝封裝:8-PowerVDFN供應(yīng)商器件封裝:PowerFLAT?(8x8)