STL3NM60N參數(shù)：MOSFET N CH 600V 2.2A POWERFLAT
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STL3NM60NViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：Mdmesh™II包裝：帶卷(TR)FET類(lèi)型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：2.2A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：1.8歐姆@1A,10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：9.5nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：188pF@50V功率-最大值：22W安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：8-PowerVDFN供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat?（3.3x3.3）
