STL26NM60N參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STL26NM60NViewAllSpecifications特色產(chǎn)品： ST-PowerFLAT?8x8HV標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：MDmesh™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：19A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：185毫歐@10A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：60nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1800pF@50V功率-最大值：125mW安裝類型：表面貼裝封裝：5-PowerFlat?HV供應(yīng)商器件封裝：5-PowerFlat?HV（8x8）
