STL11N3LLH6
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STL11N3LLH6參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
其它有關(guān)文件： STL11N3LLH6ViewAllSpecifications
標準包裝：3,000
系列：STripFET™DeepGATE™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：11A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：7.5毫歐@5.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：17nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1690pF@25V
功率-最大值：50W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat?（3.3x3.3）