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STL10DN15F3參數(shù)：MOSFET 2N-CH 150V 10A POWERFLAT
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列其它有關(guān)文件： STL10DN15F3ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：StripFET;III,PowerFLAT;5x6包裝：帶卷(TR)FET類型：2個(gè)N溝道（雙）FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：150V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：10A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：220mOhm@1.4A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：9.5nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：330pF@25V功率-最大值：50W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerVDFN供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat?（5x6）