STL100N1VH5參數(shù)：MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT56
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STL100N1VH5ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：STripFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：12V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：100A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3毫歐@12.5A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：500mV@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：26.5nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2085pF@10V功率-最大值：60W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerVDFN供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat?（5x6）
