STB80NF55-06-1參數(shù):MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件: STB80NF55-06-1ViewAllSpecifications標準包裝:50系列:STripFET™包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):55V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):80A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):6.5毫歐@40A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):189nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):4400pF@25V功率-最大值:300W安裝類型:通孔封裝:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA供應(yīng)商器件封裝:I2PAK