STB80NF10T4參數(shù):MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件: STB80NF10ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000系列:STripFET™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss):100V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):80A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):15毫歐@40A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):182nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):5500pF@25V功率-最大值:300W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應(yīng)商器件封裝:D2PAK