STB80NF03L-04-1參數(shù):MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件: STB80NF03L-04ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝:50系列:STripFET™包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):80A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):4毫歐@40A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):110nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):5500pF@25V功率-最大值:300W安裝類型:通孔封裝:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA供應(yīng)商器件封裝:I2PAK