STB7NK80Z-1參數:MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
類別:分立半導體產品-FET - 單其它有關文件: STB7NK80Z-1ViewAllSpecifications標準包裝:50系列:SuperMESH™包裝:管件FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:標準漏源極電壓(Vdss):800V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):5.2A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):1.8歐姆@2.6A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):4.5V@100µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):56nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss):1138pF@25V功率-最大值:125W安裝類型:通孔封裝:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA供應商器件封裝:I2PAK