STB7NK80Z-1參數(shù)：MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STB7NK80Z-1ViewAllSpecifications標準包裝：50系列：SuperMESH™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：800V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5.2A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.8歐姆@2.6A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.5V@100µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：56nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1138pF@25V功率-最大值：125W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：I2PAK
STSOT-2632023+27350全新原廠原裝現(xiàn)貨
