STB60NF06LT4參數(shù):MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件: STB60NF06LViewAllSpecifications標準包裝:1,000系列:STripFET™包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):60V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):60A不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):14毫歐@30A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):66nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):2000pF@25V功率-最大值:110W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-263-3,D²Pak(2引線+接片),TO-263AB供應商器件封裝:D2PAK